Справочник транзисторов. 2N3117

 

Биполярный транзистор 2N3117 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3117
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 2N3117

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3117 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:354K  rca
 2n3118.pdf pdf_icon

2N3117

 9.2. Size:418K  rca
 2n3119.pdf pdf_icon

2N3117

 9.3. Size:144K  semelab
 2n3114csm.pdf pdf_icon

2N3117

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

 9.4. Size:143K  microelectronics
 2n3107 2n3108 2n3109 2n3110.pdf pdf_icon

2N3117

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3109 , 2N311 , 2N3110 , 2N3110S , 2N3114 , 2N3114S , 2N3115 , 2N3116 , BC327 , 2N3118 , 2N3119 , 2N312 , 2N3120 , 2N3121 , 2N3122 , 2N3123 , 2N3124 .

 

 
Back to Top

 


 
.