C1001 Todos los transistores

 

C1001 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C1001

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO61

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C1001 Datasheet (PDF)

1.1. inc1001ac1.pdf Size:119K _isahaya

C1001
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INC1001AC1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT:mm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE ① ・Super mini package for easy mounting ・High collector current(IC=500mA) ② ③ ・Low coll

Otros transistores... 2SA1575 , 2SA1575C , 2SA1575D , 2SA1575E , 2SA1575F , 2SA1576 , 2SA1577 , 2SA1578 , BC547 , 2SA1579P , 2SA1579Q , 2SA1579R , 2SA1579S , 2SA1580-3 , 2SA1580-4 , 2SA1580-5 , 2SA1581 .

 
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