C1001 Todos los transistores

 

C1001 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C1001

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Empaquetado / Estuche: TO61

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar C1001

 

C1001 Datasheet (PDF)

1.1. inc1001ac1.pdf Size:119K _isahaya

C1001
C1001

INC1001AC1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT:mm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE ① ・Super mini package for easy mounting ・High collector current(IC=500mA) ② ③ ・Low coll

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


C1001
  C1001
  C1001
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: 3DD2553 | 2SD1710C | NP061A3 | KTC601UY | KSC5802D | FA1L3Z-L38 | FA1L3Z-L37 | FA1L3Z-L36 | EB102 | DC8550E | DC8550D | DC8550C | DC8550B | CHTA27XPT | CHT858BWPTS | CHT858BWPTR | CHT858BWPTQ | CHT857BTPTS | CHT857BTPTR | CHT857BTPTQ |

 

 

 
Back to Top