Биполярный транзистор C1001 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: C1001
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO61
C1001 Datasheet (PDF)
1.1. inc1001ac1.pdf 
Size:119K _isahaya
INC1001AC1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT：mm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE ① ・Super mini package for easy mounting ・High collector current(IC=500mA) ② ③ ・Low coll
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
