Справочник транзисторов. C1001

 

Биполярный транзистор C1001 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: C1001

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO61

Аналоги (замена) для C1001

 

 

C1001 Datasheet (PDF)

1.1. inc1001ac1.pdf Size:119K _isahaya

C1001
C1001

INC1001AC1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT:mm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE ① ・Super mini package for easy mounting ・High collector current(IC=500mA) ② ③ ・Low coll

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


C1001
  C1001
  C1001
  C1001
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: 3DD313 | 3DD209L | XP6111 | STC8050N | CHT847BWPT | 3DD4204D | 2SC6092LS | 2SC5966 | 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA |

 

 

 

Back to Top