Справочник транзисторов. C1001

 

Биполярный транзистор C1001 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: C1001
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO61
 

 Аналог (замена) для C1001

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C1001 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:119K  isahaya
 inc1001ac1.pdf pdf_icon

C1001

INC1001AC1FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini package for easy mounting High collector current(IC=500mA) Low coll

Другие транзисторы... BVW90 , BVX18A , C055 , C055P , C066 , C066P , C1 , C100 , 8550 , C1002 , C1003 , C1004 , C101 , C102 , C103 , C106 , C112 .

History: GT341A | MMBT1116A

 

 
Back to Top

 


 
.