C1001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: C1001  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO61

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для C1001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C1001 даташит

 0.1. Size:119K  isahaya
 inc1001ac1.pdf pdf_icon

C1001

INC1001AC1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini package for easy mounting High collector current(IC=500mA) Low coll

Другие транзисторы: BVW90, BVX18A, C055, C055P, C066, C066P, C1, C100, 2SC5198, C1002, C1003, C1004, C101, C102, C103, C106, C112