E6008 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: E6008 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 250
Encapsulados: TO5
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E6008 datasheet
nce6008as.pdf
Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6008AS NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6008AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =8A Schematic diagram RDS(ON)
Otros transistores... E20190, E20192, E20231, E20232, E20235, E20237, E3-28, E5-28, 2SC1815, E7133, E7134, E7142, E7150, EA961, EC961, ECG10, ECG100
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SC1270
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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