E6008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E6008  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для E6008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

E6008 даташит

 0.1. Size:394K  ncepower
 nce6008as.pdf pdf_icon

E6008

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6008AS NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6008AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =8A Schematic diagram RDS(ON)

Другие транзисторы: E20190, E20192, E20231, E20232, E20235, E20237, E3-28, E5-28, B772, E7133, E7134, E7142, E7150, EA961, EC961, ECG10, ECG100