2N3579 Todos los transistores

 

2N3579 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3579
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO46
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N3579 Datasheet (PDF)

 9.2. Size:16K  advanced-semi
2n3570.pdf pdf_icon

2N3579

2N3570NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTORDESCRIPTION:The 2N3570 is Designed for HighFrequency Low Noise Amplifier andOscillator Applications.PACKAGE STYLE TO- 72MAXIMUM RATINGSIC 50 mAVCB 30 VVCE 15 VVEB 3.0 VPDISS 200 mW @ TC = 25 OCTJ -65 OC to +200 OCTSTG -65 OC to +200 OC1 = EMITTER 2 = BASE3 = COLLECTOR 4 = CASE500 OC/WJCNONECHARACTER

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3311 | DTL3512 | BLY83 | 2N2218AQF | KSB795 | V405AL | 2SC4480

 

 
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