2N3579 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3579  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO46

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3579

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3579 даташит

 9.1. Size:319K  rca
 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

2N3579

 9.2. Size:16K  advanced-semi
 2n3570.pdf pdf_icon

2N3579

2N3570 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N3570 is Designed for High Frequency Low Noise Amplifier and Oscillator Applications. PACKAGE STYLE TO- 72 MAXIMUM RATINGS IC 50 mA VCB 30 V VCE 15 V VEB 3.0 V PDISS 200 mW @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OC TSTG -65 OC to +200 OC 1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR 4 = CASE 500 OC/W JC NONE CHARACTER

Другие транзисторы: 2N3569, 2N356A, 2N357, 2N3570, 2N3571, 2N3572, 2N3576, 2N3577, 2SD313, 2N357A, 2N358, 2N3580, 2N3581, 2N3582, 2N3583, 2N3584, 2N3584X