ESM2012DV Todos los transistores

 

ESM2012DV . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ESM2012DV
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 120 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1200
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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ESM2012DV Datasheet (PDF)

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ESM2012DV

ESM2012DVNPN DARLINGTON POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION TO CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROL UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERSISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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History: 2SD311 | MMBTSC3875-L

 

 
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