ESM2012DV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ESM2012DV 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 120 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1200
Encapsulados: ISOTOP
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ESM2012DV datasheet
esm2012.pdf
ESM2012DV NPN DARLINGTON POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION TO CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROL UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERS ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2N5785SM
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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