ESM2012DV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ESM2012DV  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1200

Корпус транзистора: ISOTOP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ESM2012DV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ESM2012DV даташит

 7.1. Size:117K  st
 esm2012.pdf pdf_icon

ESM2012DV

ESM2012DV NPN DARLINGTON POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION TO CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROL UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERS ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: ESM16, ESM160, ESM161, ESM162, ESM16A, ESM16B, ESM18, ESM191, A733, ESM2030DV, ESM2040D, ESM2060, ESM2060T, ESM2070D, ESM213, ESM214, ESM217