Справочник транзисторов. ESM2012DV

 

Биполярный транзистор ESM2012DV Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ESM2012DV
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1200
   Корпус транзистора: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для ESM2012DV

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ESM2012DV Datasheet (PDF)

 7.1. Size:117K  st
 esm2012.pdf pdf_icon

ESM2012DV

ESM2012DVNPN DARLINGTON POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION TO CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROL UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERSISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... ESM16 , ESM160 , ESM161 , ESM162 , ESM16A , ESM16B , ESM18 , ESM191 , TIP31C , ESM2030DV , ESM2040D , ESM2060 , ESM2060T , ESM2070D , ESM213 , ESM214 , ESM217 .

History: BF762 | SX4060

 

 
Back to Top

 


 
.