GD200 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GD200 📄📄

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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GD200 datasheet

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HGI200N10SL HGD200N10SL P-1 , 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Otros transistores... GD180, GD180A, GD180B, GD180C, GD183, GD190, GD191, GD192, 13003, GD203, GD207, GD210, GD220, GD240, GD241, GD241A, GD241B

GD200 Datasheet. Equivalente