Справочник транзисторов. GD200

 

Биполярный транзистор GD200 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GD200
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для GD200

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD200 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:965K  cn hunteck
 hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf pdf_icon

GD200

HGI200N10SL HGD200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain

Другие транзисторы... GD180 , GD180A , GD180B , GD180C , GD183 , GD190 , GD191 , GD192 , S8050 , GD203 , GD207 , GD210 , GD220 , GD240 , GD241 , GD241A , GD241B .

History: DMA364A1 | 2SD1301

 

 
Back to Top

 


 
.