GD200 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GD200
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
GD200 Datasheet (PDF)
hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf
HGI200N10SL HGD200N10SL P-1 , 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain
Другие транзисторы... GD180 , GD180A , GD180B , GD180C , GD183 , GD190 , GD191 , GD192 , 13003 , GD203 , GD207 , GD210 , GD220 , GD240 , GD241 , GD241A , GD241B .
History: ACY12 | A747B | MT4104 | AC524 | 3DD523 | RN2504 | RN2507
History: ACY12 | A747B | MT4104 | AC524 | 3DD523 | RN2504 | RN2507
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent


