Биполярный транзистор GD200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GD200
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
GD200 Datasheet (PDF)
0.1. Size:965K cn hunteck
hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf
hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf
HGI200N10SL HGD200N10SL P-1,100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability20.0RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: KSE340 | ZTX238AL
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050