GD200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD200  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD200 даташит

 0.1. Size:965K  cn hunteck
 hgi200n10sl hgd200n10sl.pdf pdf_icon

GD200

HGI200N10SL HGD200N10SL P-1 , 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15.5 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 45 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

Другие транзисторы: GD180, GD180A, GD180B, GD180C, GD183, GD190, GD191, GD192, 13003, GD203, GD207, GD210, GD220, GD240, GD241, GD241A, GD241B