GD210 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GD210  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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GD210 datasheet

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GD210

HGD210N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 20 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rect

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