GD210 Todos los transistores

 

GD210 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GD210
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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GD210 Datasheet (PDF)

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GD210

HGD210N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness42 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rect

Otros transistores... GD180C , GD183 , GD190 , GD191 , GD192 , GD200 , GD203 , GD207 , 2SC4793 , GD220 , GD240 , GD241 , GD241A , GD241B , GD242 , GD243 , GD244 .

History: ST2SB772T | KTB2234 | 2SB1115A | LDTC114EM3T5G | BD128 | 2SC4548-E | TIP136

 

 
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