GD210 Todos los transistores

 

GD210 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GD210
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3

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GD210 Datasheet (PDF)

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 hgd210n12sl.pdf pdf_icon

GD210

HGD210N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 20 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rect

Otros transistores... GD180C , GD183 , GD190 , GD191 , GD192 , GD200 , GD203 , GD207 , S9014 , GD220 , GD240 , GD241 , GD241A , GD241B , GD242 , GD243 , GD244 .

History: DDTA114YUA | SUR529H | FJAF6810 | 2SC3514 | BFV22 | NJT4030P | 2SD226B

 

 
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