GD210 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

GD210 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GD210
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GD210

 

GD210 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:902K  cn hunteck
 hgd210n12sl.pdf pdf_icon

GD210

HGD210N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 20 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rect

Другие транзисторы... GD180C , GD183 , GD190 , GD191 , GD192 , GD200 , GD203 , GD207 , S9014 , GD220 , GD240 , GD241 , GD241A , GD241B , GD242 , GD243 , GD244 .

History: MT3S35FS | 2T3133A | HA7542

 

 
Back to Top

 


 
.