GD210 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GD210  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для GD210

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GD210 даташит

 0.1. Size:902K  cn hunteck
 hgd210n12sl.pdf pdf_icon

GD210

HGD210N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 20 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 25 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 42 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 35 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rect

Другие транзисторы: GD180C, GD183, GD190, GD191, GD192, GD200, GD203, GD207, S9014, GD220, GD240, GD241, GD241A, GD241B, GD242, GD243, GD244