Справочник транзисторов. GD210

 

Биполярный транзистор GD210 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: GD210
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для GD210

 

 

GD210 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:902K  cn hunteck
 hgd210n12sl.pdf

GD210 GD210

HGD210N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level20RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability25RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness42 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rect

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top