2N384-33 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N384-33  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO33-1

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2N384-33 datasheet

 9.1. Size:659K  rca
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2N384-33

 9.2. Size:67K  microsemi
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2N384-33

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/412 Devices Qualified Level JAN 2N3846 2N3847 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N3846 2N3847 Units Collector-Emitter Voltage 200 300 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 400 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Collector Current 20 Adc IC Total Power Dissipation @ T = +250C (

Otros transistores... 2N3838, 2N3839, 2N384, 2N3840, 2N3841, 2N3842, 2N3842A, 2N3843, 2SA1015, 2N3843A, 2N3844, 2N3844A, 2N3845, 2N3845A, 2N3846, 2N3847, 2N3848