2N384-33 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N384-33  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO33-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N384-33

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N384-33 даташит

 9.1. Size:659K  rca
 2n384.pdf pdf_icon

2N384-33

 9.2. Size:67K  microsemi
 2n3846 2n3847.pdf pdf_icon

2N384-33

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/412 Devices Qualified Level JAN 2N3846 2N3847 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N3846 2N3847 Units Collector-Emitter Voltage 200 300 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 300 400 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 10 Vdc VEBO Collector Current 20 Adc IC Total Power Dissipation @ T = +250C (

Другие транзисторы: 2N3838, 2N3839, 2N384, 2N3840, 2N3841, 2N3842, 2N3842A, 2N3843, 2SA1015, 2N3843A, 2N3844, 2N3844A, 2N3845, 2N3845A, 2N3846, 2N3847, 2N3848