2N3859 Todos los transistores

 

2N3859 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3859
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N3859

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N3859 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1285K  sprague
 2n3711 2n3721 2n3827 2n3858 2n3858a 2n3859 2n3859a 2n3860 2n3877 2n3877a 2n3900 2n3900a 2n3901 2n3903 2n3904 2n3905.pdf pdf_icon

2N3859

 0.1. Size:58K  fairchild semi
 2n3859a.pdf pdf_icon

2N3859

2N3859ANPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO C

 9.1. Size:154K  no
 2n3858.pdf pdf_icon

2N3859

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.