2N3859 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3859  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3859

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3859 даташит

 ..1. Size:1285K  sprague
 2n3711 2n3721 2n3827 2n3858 2n3858a 2n3859 2n3859a 2n3860 2n3877 2n3877a 2n3900 2n3900a 2n3901 2n3903 2n3904 2n3905.pdf pdf_icon

2N3859

 0.1. Size:58K  fairchild semi
 2n3859a.pdf pdf_icon

2N3859

2N3859A NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics. TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO C

 9.1. Size:154K  no
 2n3858.pdf pdf_icon

2N3859

Другие транзисторы: 2N3854A, 2N3855, 2N3855A, 2N3856, 2N3856A, 2N3857, 2N3858, 2N3858A, 2SC5200, 2N3859A, 2N385A, 2N386, 2N3860, 2N3860A, 2N3861, 2N3862, 2N3863