KSC900G Todos los transistores

 

KSC900G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSC900G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92

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KSC900G Datasheet (PDF)

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KSC900G

KSC900 Low Frequency & Low Noise Amplifier Collector-Base Voltage VCBO=30V Low Noise Level NL=50mV (MAX) Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V

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History: NSDU07 | CHUMD6GP | 2SC4616 | MPS2907R | CHDTC125TKGP | STC5080 | 2SC1872

 

 
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