Справочник транзисторов. KSC900G

 

Биполярный транзистор KSC900G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC900G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC900G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:40K  fairchild semi
ksc900.pdfpdf_icon

KSC900G

KSC900Low Frequency & Low Noise Amplifier Collector-Base Voltage : VCBO=30V Low Noise Level : NL=50mV (MAX) Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 V

Другие транзисторы... KSC838Y , KSC839 , KSC839G , KSC839O , KSC839R , KSC839Y , KSC853 , KSC900 , 2SC2482 , KSC900L , KSC900V , KSC900Y , KSC921 , KSC945 , KSC945G , KSC945L , KSC945O .

History: 2SC2458L | BC112

 

 
Back to Top

 


 
.