KSC900G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC900G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC900G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC900G даташит

 8.1. Size:40K  fairchild semi
 ksc900.pdf pdf_icon

KSC900G

KSC900 Low Frequency & Low Noise Amplifier Collector-Base Voltage VCBO=30V Low Noise Level NL=50mV (MAX) Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V

Другие транзисторы: KSC838Y, KSC839, KSC839G, KSC839O, KSC839R, KSC839Y, KSC853, KSC900, 2N2907, KSC900L, KSC900V, KSC900Y, KSC921, KSC945, KSC945G, KSC945L, KSC945O