KSD227O Todos los transistores

 

KSD227O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSD227O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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Principales características: KSD227O

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KSD227O

KSD227 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA642 Collector Power Dissipation PC=400mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Curre

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