Справочник транзисторов. KSD227O

 

Биполярный транзистор KSD227O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD227O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для KSD227O

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD227O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:40K  fairchild semi
 ksd227.pdf pdf_icon

KSD227O

KSD227Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA642 Collector Power Dissipation : PC=400mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Curre

Другие транзисторы... KSD1943 , KSD1944 , KSD2012 , KSD2012G , KSD2012Y , KSD2058 , KSD227 , KSD227G , 2SD669A , KSD227Y , KSD261 , KSD261G , KSD261O , KSD261R , KSD261Y , KSD288 , KSD288O .

 

 
Back to Top

 


 
.