KSD401O Todos los transistores

 

KSD401O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSD401O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

KSD401O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:71K  fairchild semi
 ksd401.pdf pdf_icon

KSD401O

KSD401TV Vertical Deflection Output Collector-Base Voltage : VCBO=200V Collector Current : IC=2A Collector Dissipation : PC=25W(TC=25C) Complement to KSB546TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-

 8.2. Size:104K  inchange semiconductor
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KSD401O

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD401 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- : V(BR)CBO= 200V(Min) Collector Current- IC= 2A Collector Power Dissipation- : PC= 25W@ TC= 25 Complement to Type KSB546 APPLICATIONS Designed for TV Vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

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History: 2N4237 | 2PA1774S | PTB20179 | FMMT4146 | 2SC4376 | MJE3302 | NSS20101J

 

 
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