KSD401O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSD401O  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de KSD401O

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KSD401O datasheet

 8.1. Size:71K  fairchild semi
 ksd401.pdf pdf_icon

KSD401O

KSD401 TV Vertical Deflection Output Collector-Base Voltage VCBO=200V Collector Current IC=2A Collector Dissipation PC=25W(TC=25 C) Complement to KSB546 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-

 8.2. Size:104K  inchange semiconductor
 ksd401.pdf pdf_icon

KSD401O

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD401 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V(BR)CBO= 200V(Min) Collector Current- IC= 2A Collector Power Dissipation- PC= 25W@ TC= 25 Complement to Type KSB546 APPLICATIONS Designed for TV Vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 )

Otros transistores... KSD362O, KSD362R, KSD363, KSD363O, KSD363R, KSD363Y, KSD401, KSD401G, 2SC828, KSD401R, KSD401Y, KSD471, KSD471A, KSD471AG, KSD471AO, KSD471AY, KSD5000