KSD401O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD401O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD401O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD401O даташит

 8.1. Size:71K  fairchild semi
 ksd401.pdf pdf_icon

KSD401O

KSD401 TV Vertical Deflection Output Collector-Base Voltage VCBO=200V Collector Current IC=2A Collector Dissipation PC=25W(TC=25 C) Complement to KSB546 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-

 8.2. Size:104K  inchange semiconductor
 ksd401.pdf pdf_icon

KSD401O

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD401 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V(BR)CBO= 200V(Min) Collector Current- IC= 2A Collector Power Dissipation- PC= 25W@ TC= 25 Complement to Type KSB546 APPLICATIONS Designed for TV Vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 )

Другие транзисторы: KSD362O, KSD362R, KSD363, KSD363O, KSD363R, KSD363Y, KSD401, KSD401G, 2SC828, KSD401R, KSD401Y, KSD471, KSD471A, KSD471AG, KSD471AO, KSD471AY, KSD5000