KSE210 Todos los transistores

 

KSE210 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSE210
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 120 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO126
 

 Búsqueda de reemplazo de KSE210

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KSE210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  fairchild semi
 kse210.pdf pdf_icon

KSE210

KSE210Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

 ..2. Size:53K  samsung
 kse210.pdf pdf_icon

KSE210

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORCOLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGELOW COLLECTOR-EMITTER SATURATIONTO-126SATURATION VOLTAGEHIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTHPRODUCT-MIN fT=65 I = -100CComplement to KSE200ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

Otros transistores... KSE13009F , KSE170 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , KSE181 , KSE182 , KSE200 , BD139 , KSE2955T , KSE3055T , KSE340 , KSE350 , KSE44H-1 , KSE44H-10 , KSE44H-11 , KSE44H-2 .

History: 2SC1928 | MJE803T | PDTA115TU

 

 
Back to Top

 


 
.