KSE210 Todos los transistores

 

KSE210 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSE210
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 120 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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KSE210 Datasheet (PDF)

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KSE210

KSE210Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

 ..2. Size:53K  samsung
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KSE210

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORCOLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGELOW COLLECTOR-EMITTER SATURATIONTO-126SATURATION VOLTAGEHIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTHPRODUCT-MIN fT=65 I = -100CComplement to KSE200ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC1928 | 2SA606S | 2SB1455 | MJF16204 | MJE2901 | MJE243G | NB212ZH

 

 
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