KSE210 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSE210  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 65 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 120 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: TO126

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KSE210 datasheet

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KSE210

KSE210 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

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KSE210

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION TO-126 SATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MIN fT=65 I = -100 C Complement to KSE200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

Otros transistores... KSE13009F, KSE170, KSE171, KSE172, KSE180, KSE181, KSE182, KSE200, 2SC5200, KSE2955T, KSE3055T, KSE340, KSE350, KSE44H-1, KSE44H-10, KSE44H-11, KSE44H-2