KSE210 Todos los transistores

 

KSE210 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSE210
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 65 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 120 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO126

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSE210

 

Principales características: KSE210

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KSE210

KSE210 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

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KSE210

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION TO-126 SATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MIN fT=65 I = -100 C Complement to KSE200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

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History: KSE3055T

 

 
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