KSE210 - описание и поиск аналогов

 

KSE210 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSE210
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE210

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE210 - технические параметры

 ..1. Size:42K  fairchild semi
 kse210.pdf pdf_icon

KSE210

KSE210 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

 ..2. Size:53K  samsung
 kse210.pdf pdf_icon

KSE210

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION TO-126 SATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MIN fT=65 I = -100 C Complement to KSE200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

Другие транзисторы... KSE13009F , KSE170 , KSE171 , KSE172 , KSE180 , KSE181 , KSE182 , KSE200 , 2SC5200 , KSE2955T , KSE3055T , KSE340 , KSE350 , KSE44H-1 , KSE44H-10 , KSE44H-11 , KSE44H-2 .

 

 
Back to Top

 


 
.