Справочник транзисторов. KSE210

 

Биполярный транзистор KSE210 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSE210
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE210

 

 

KSE210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  fairchild semi
kse210.pdf

KSE210
KSE210

KSE210Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product : fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

 ..2. Size:53K  samsung
kse210.pdf

KSE210
KSE210

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORCOLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGELOW COLLECTOR-EMITTER SATURATIONTO-126SATURATION VOLTAGEHIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTHPRODUCT-MIN fT=65 I = -100CComplement to KSE200ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top