KSE210 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSE210  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSE210

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE210 даташит

 ..1. Size:42K  fairchild semi
 kse210.pdf pdf_icon

KSE210

KSE210 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

 ..2. Size:53K  samsung
 kse210.pdf pdf_icon

KSE210

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION TO-126 SATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MIN fT=65 I = -100 C Complement to KSE200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

Другие транзисторы: KSE13009F, KSE170, KSE171, KSE172, KSE180, KSE181, KSE182, KSE200, 2SC5200, KSE2955T, KSE3055T, KSE340, KSE350, KSE44H-1, KSE44H-10, KSE44H-11, KSE44H-2