KSP12 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSP12  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000

Encapsulados: TO92

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KSP12 datasheet

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KSP12

KSP12 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES=20V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V PC Collector Power Dissipation

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