KSP12 Todos los transistores

 

KSP12 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP12
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20000
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSP12 PDF detailed specifications

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KSP12

KSP12 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES=20V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V PC Collector Power Dissipation ... See More ⇒

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