KSP12 Todos los transistores

 

KSP12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP12
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20000
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de KSP12

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

KSP12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  fairchild semi
 ksp12.pdf pdf_icon

KSP12

KSP12Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage: VCES=20V Collector Power Dissipation: PC (max)=625mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 20 VVEBO Emitter-Base Voltage 10 VPC Collector Power Dissipation

Otros transistores... KSH45H11I , KSH47 , KSH47I , KSH50 , KSH50I , KSP05 , KSP06 , KSP10 , TIP32C , KSP13 , KSP14 , KSP17 , KSP20 , KSP2222 , KSP2222A , KSP24 , KSP25 .

 

 
Back to Top

 


 
.