KSP12 - описание и поиск аналогов

 

KSP12 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSP12
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20000
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSP12

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSP12 - технические параметры

 ..1. Size:33K  fairchild semi
 ksp12.pdf pdf_icon

KSP12

KSP12 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES=20V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V PC Collector Power Dissipation

Другие транзисторы... KSH45H11I , KSH47 , KSH47I , KSH50 , KSH50I , KSP05 , KSP06 , KSP10 , 431 , KSP13 , KSP14 , KSP17 , KSP20 , KSP2222 , KSP2222A , KSP24 , KSP25 .

 

 
Back to Top

 


 
.