KSP12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSP12  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20000

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSP12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSP12 даташит

 ..1. Size:33K  fairchild semi
 ksp12.pdf pdf_icon

KSP12

KSP12 Darlington Transistor Collector-Emitter Voltage VCES=20V Collector Power Dissipation PC (max)=625mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 10 V PC Collector Power Dissipation

Другие транзисторы: KSH45H11I, KSH47, KSH47I, KSH50, KSH50I, KSP05, KSP06, KSP10, TIP127, KSP13, KSP14, KSP17, KSP20, KSP2222, KSP2222A, KSP24, KSP25