KSP5172 Todos los transistores

 

KSP5172 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSP5172
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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KSP5172 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:26K  fairchild semi
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KSP5172

KSP5179High Frequency TransistorTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 20 VVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VVEBO Emitter-Base Voltage 2.5 VIC Collector Current 50 mAPC Collector Power Dissipation (Ta=25C) 200 mWDerate above

 8.2. Size:21K  samsung
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KSP5172

KSP5179 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH FREQUENCY TRANSISTORTO-92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 20 VCollector-Emitter Voltage VCEO 12 VEmitter-Base Voltage VEBO 2.5 VCollector Current IC 50 mACollector Dissipation (TA=25 ) PC 200 mW Derate above 25 1.14 mW/ Collector Dissipation (TC=25 ) mWPC 300 D

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History: MGT108D | PUMH13 | C9082 | BCZ10 | 2SC4774GP | 2SA387 | NR431FR

 

 
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