KSP5172 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSP5172  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSP5172

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSP5172 даташит

 8.1. Size:26K  fairchild semi
 ksp5179.pdf pdf_icon

KSP5172

KSP5179 High Frequency Transistor TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VEBO Emitter-Base Voltage 2.5 V IC Collector Current 50 mA PC Collector Power Dissipation (Ta=25 C) 200 mW Derate above

 8.2. Size:21K  samsung
 ksp5179.pdf pdf_icon

KSP5172

KSP5179 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR TO-92 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 20 V Collector-Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter-Base Voltage VEBO 2.5 V Collector Current IC 50 mA Collector Dissipation (TA=25 ) PC 200 mW Derate above 25 1.14 mW/ Collector Dissipation (TC=25 ) mW PC 300 D

Другие транзисторы: KSP25, KSP26, KSP2907, KSP2907A, KSP42, KSP43, KSP44, KSP45, BD139, KSP55, KSP56, KSP62, KSP63, KSP64, KSP6520, KSP6521, KSP75