ME1001 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME1001  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO106

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ME1001 datasheet

 9.1. Size:1112K  matsuki electric
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ME1001

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 3m @VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

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