ME1001 Todos los transistores

 

ME1001 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME1001
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO106
 

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ME1001 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1112K  matsuki electric
 me100n03t me100n03t-g.pdf pdf_icon

ME1001

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)3m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

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History: MJE250 | KSC2752R | CD9016H | D40PU1 | CZT3120 | MM3000 | FXT688B

 

 
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