Справочник транзисторов. ME1001

 

Биполярный транзистор ME1001 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ME1001
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO106
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ME1001 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:1112K  matsuki electric
 me100n03t me100n03t-g.pdf pdf_icon

ME1001

ME100N03T /ME100N03T-G N- Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME100N03T-G is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)3m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is especially Exceptional on-resistance

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2S304 | D40D2 | DMC96407 | D33J24 | BDX14S | KRA302 | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.