ME1100 Todos los transistores

 

ME1100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME1100
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 110 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO106
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME1100 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:705K  matsuki electric
me110n10t me110n10f.pdf pdf_icon

ME1100

ME110N10T/ME110N10FN-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.2m@VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h

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History: BC848CLT1 | DTC143ZET1G | 2SC763 | GS9013E | BFQ268 | 2N2951S | BUY18S

 

 
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