ME1100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME1100 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 110 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO106
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ME1100 datasheet
me110n10t me110n10f.pdf
ME110N10T/ME110N10F N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.2m @VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SA1909
🌐 : EN ES РУ
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