Справочник транзисторов. ME1100

 

Биполярный транзистор ME1100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ME1100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO106
 

 Аналог (замена) для ME1100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME1100 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:705K  matsuki electric
 me110n10t me110n10f.pdf pdf_icon

ME1100

ME110N10T/ME110N10FN-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.2m@VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h

Другие транзисторы... ME0492 , ME0493 , ME0801 , ME0802 , ME0803 , ME1001 , ME1002 , ME1075 , C1815 , ME1120 , ME2001 , ME2002 , ME3001 , ME3002 , ME3011 , ME4001 , ME4002 .

History: SBP13003 | KT921B

 

 
Back to Top

 


 
.