ME1100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ME1100  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO106

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ME1100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME1100 даташит

 9.1. Size:705K  matsuki electric
 me110n10t me110n10f.pdf pdf_icon

ME1100

ME110N10T/ME110N10F N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.2m @VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h

Другие транзисторы: ME0492, ME0493, ME0801, ME0802, ME0803, ME1001, ME1002, ME1075, 2N2222, ME1120, ME2001, ME2002, ME3001, ME3002, ME3011, ME4001, ME4002