ME2001 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME2001 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO106
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ME2001 datasheet
me200n04t me200n04t-g.pdf
ME200N04T / ME200N04T-G N- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 3.5m @VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.7m @VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SA1979 | 2SC4248
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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