Справочник транзисторов. ME2001

 

Биполярный транзистор ME2001 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ME2001
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO106
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ME2001 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:759K  matsuki electric
 me200n04t me200n04t-g.pdf pdf_icon

ME2001

ME200N04T / ME200N04T-GN- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.5m@VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.7m@VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BD591 | MPS2484 | ZTX614 | BF321 | 2SC889 | BD120 | ECH8503-TL-H

 

 
Back to Top

 


 
.