ME2002 Todos los transistores

 

ME2002 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2002
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO106
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME2002 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:759K  matsuki electric
 me200n04t me200n04t-g.pdf pdf_icon

ME2002

ME200N04T / ME200N04T-GN- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.5m@VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.7m@VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DG2413K | 2SA1706T-AN | 2SA815 | BC848CW-G | RT3YB7M | 2SA795A

 

 
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