ME2002 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME2002 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO106
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ME2002 datasheet
me200n04t me200n04t-g.pdf
ME200N04T / ME200N04T-G N- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 3.5m @VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.7m @VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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