ME2002 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ME2002  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO106

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ME2002

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME2002 даташит

 9.1. Size:759K  matsuki electric
 me200n04t me200n04t-g.pdf pdf_icon

ME2002

ME200N04T / ME200N04T-G N- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 3.5m @VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 4.7m @VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

Другие транзисторы: ME0802, ME0803, ME1001, ME1002, ME1075, ME1100, ME1120, ME2001, C1815, ME3001, ME3002, ME3011, ME4001, ME4002, ME4003, ME4101, ME4102