Справочник транзисторов. ME2002

 

Биполярный транзистор ME2002 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ME2002
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO106
 

 Аналог (замена) для ME2002

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME2002 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:759K  matsuki electric
 me200n04t me200n04t-g.pdf pdf_icon

ME2002

ME200N04T / ME200N04T-GN- Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)3.5m@VGS=10V The ME200N04T is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)4.7m@VGS=5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

Другие транзисторы... ME0802 , ME0803 , ME1001 , ME1002 , ME1075 , ME1100 , ME1120 , ME2001 , 2N2222 , ME3001 , ME3002 , ME3011 , ME4001 , ME4002 , ME4003 , ME4101 , ME4102 .

History: MJE13003VK7 | BCY40

 

 
Back to Top

 


 
.