ME4101 Todos los transistores

 

ME4101 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4101
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO106
 

 Búsqueda de reemplazo de ME4101

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME4101 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

ME4101

February 2010FDME410NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 mFeatures General DescriptionThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 AFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

Otros transistores... ME2001 , ME2002 , ME3001 , ME3002 , ME3011 , ME4001 , ME4002 , ME4003 , BD140 , ME4102 , ME4103 , ME4104 , ME501 , ME502 , ME503 , ME511 , ME512 .

History: 2SC34 | DMG563H5 | 2SC1972 | MJE13003VN7 | BCR112 | 2SD1843

 

 
Back to Top

 


 
.