ME4101 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ME4101  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO106

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ME4101

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME4101 даташит

 9.1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

ME4101

February 2010 FDME410NZT N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 m Features General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 A Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 A optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

Другие транзисторы: ME2001, ME2002, ME3001, ME3002, ME3011, ME4001, ME4002, ME4003, S8050, ME4102, ME4103, ME4104, ME501, ME502, ME503, ME511, ME512