Справочник транзисторов. ME4101

 

Биполярный транзистор ME4101 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ME4101
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO106
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ME4101 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

ME4101

February 2010FDME410NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 mFeatures General DescriptionThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 AFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: SBC328 | 2SC1757E | CPH5520 | MP4051 | ZTX503M | D43C8 | 2SC1727

 

 
Back to Top

 


 
.