ME4104 Todos los transistores

 

ME4104 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4104
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO106
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME4104 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

ME4104

February 2010FDME410NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 mFeatures General DescriptionThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 AFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2T3169B | FXT553SM | BDX66L | ST4044 | 2N363 | STN3906 | AC404

 

 
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