Справочник транзисторов. ME4104

 

Биполярный транзистор ME4104 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ME4104
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO106
 

 Аналог (замена) для ME4104

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME4104 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:299K  fairchild semi
 fdme410nzt.pdf pdf_icon

ME4104

February 2010FDME410NZTN-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 7 A, 26 mFeatures General DescriptionThis Single N-Channel MOSFET has been designed using Max rDS(on) = 26 m at VGS = 4.5 V, ID = 7 AFairchild Semiconductors advanced Power Trench process to Max rDS(on) = 31 m at VGS = 2.5 V, ID = 6 Aoptimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET Max rDS(on) = 39

Другие транзисторы... ME3002 , ME3011 , ME4001 , ME4002 , ME4003 , ME4101 , ME4102 , ME4103 , TIP3055 , ME501 , ME502 , ME503 , ME511 , ME512 , ME513 , ME5308 , ME6001 .

 

 
Back to Top

 


 
.