ME501 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME501
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO106
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar ME501
ME501 Datasheet (PDF)
dme50101.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DME50101Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDME20101 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Co
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: NB013EZ | NA31LG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050