ME501 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME501  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 165 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO106

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ME501 datasheet

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ME501

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME50101 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DME20101 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Co

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