ME501 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ME501  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO106

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ME501

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ME501 даташит

 0.1. Size:526K  panasonic
 dme50101.pdf pdf_icon

ME501

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DME50101 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1) Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DME20101 in SMini5 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini5-F3-B Co

Другие транзисторы: ME3011, ME4001, ME4002, ME4003, ME4101, ME4102, ME4103, ME4104, 13007, ME502, ME503, ME511, ME512, ME513, ME5308, ME6001, ME6002