MJ13100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MJ13100
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W
Tensión colector-base (Vcb): 650 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 450 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MJ13100
MJ13100 Datasheet (PDF)
mj13100 mj13101.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJ13100CEO(SUS)= 450V(Min)MJ13101High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsInvertersSolenoid and relay driversMotor controlsDeflection circuits
mj13100 13101.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)MJ13100 = 450V(Min)MJ13101 High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly su
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