Справочник транзисторов. MJ13100

 

Биполярный транзистор MJ13100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ13100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для MJ13100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ13100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 mj13100 mj13101.pdf pdf_icon

MJ13100

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJ13100CEO(SUS)= 450V(Min)MJ13101High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsInvertersSolenoid and relay driversMotor controlsDeflection circuits

 ..2. Size:187K  inchange semiconductor
 mj13100 13101.pdf pdf_icon

MJ13100

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)MJ13100 = 450V(Min)MJ13101 High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly su

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC4617Q | A1298

 

 
Back to Top

 


 
.