Справочник транзисторов. MJ13100

 

Биполярный транзистор MJ13100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ13100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для MJ13100

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ13100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 mj13100 mj13101.pdf pdf_icon

MJ13100

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJ13100CEO(SUS)= 450V(Min)MJ13101High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsInvertersSolenoid and relay driversMotor controlsDeflection circuits

 ..2. Size:187K  inchange semiconductor
 mj13100 13101.pdf pdf_icon

MJ13100

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)MJ13100 = 450V(Min)MJ13101 High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly su

Другие транзисторы... MJ13014 , MJ13015 , MJ13070 , MJ13071 , MJ13080 , MJ13081 , MJ13090 , MJ13091 , 2SA1015 , MJ13101 , MJ13330 , MJ13331 , MJ13332 , MJ13333 , MJ13334 , MJ13335 , MJ14000 .

History: 2DA1774R | 17521

 

 
Back to Top

 


 
.