MJ13101 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MJ13101  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 175 W

Tensión colector-base (Vcb): 750 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 450 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO3

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MJ13101 datasheet

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MJ13101

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) MJ13100 CEO(SUS) = 450V(Min) MJ13101 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits

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MJ13101

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min) MJ13100 = 450V(Min) MJ13101 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly su

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