MJ13101 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ13101  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJ13101

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ13101 даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 mj13100 mj13101.pdf pdf_icon

MJ13101

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) MJ13100 CEO(SUS) = 450V(Min) MJ13101 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits

 8.1. Size:187K  inchange semiconductor
 mj13100 13101.pdf pdf_icon

MJ13101

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 400V(Min) MJ13100 = 450V(Min) MJ13101 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly su

Другие транзисторы: MJ13015, MJ13070, MJ13071, MJ13080, MJ13081, MJ13090, MJ13091, MJ13100, 2SD669, MJ13330, MJ13331, MJ13332, MJ13333, MJ13334, MJ13335, MJ14000, MJ14001