Справочник транзисторов. MJ13101

 

Биполярный транзистор MJ13101 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJ13101
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO3
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ13101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 mj13100 mj13101.pdf pdf_icon

MJ13101

isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)MJ13100CEO(SUS)= 450V(Min)MJ13101High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsInvertersSolenoid and relay driversMotor controlsDeflection circuits

 8.1. Size:187K  inchange semiconductor
 mj13100 13101.pdf pdf_icon

MJ13101

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors MJ13100/13101 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)MJ13100 = 450V(Min)MJ13101 High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly su

Другие транзисторы... MJ13015 , MJ13070 , MJ13071 , MJ13080 , MJ13081 , MJ13090 , MJ13091 , MJ13100 , BC549 , MJ13330 , MJ13331 , MJ13332 , MJ13333 , MJ13334 , MJ13335 , MJ14000 , MJ14001 .

History: BTNA14N3

 

 
Back to Top

 


 
.