MJE12007 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MJE12007  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 750 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO220

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MJE12007 datasheet

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MJE12007

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJE12007 DESCRIPTION With TO-220 package High voltage Low saturation voltage APPLICATIONS Suited for line-operated switchmode applications such as Fluorescent lamp ballasts Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 B

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