MJE12007 Todos los transistores

 

MJE12007 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MJE12007
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 750 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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MJE12007 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  inchange semiconductor
 mje12007.pdf pdf_icon

MJE12007

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJE12007 DESCRIPTION With TO-220 package High voltage Low saturation voltage APPLICATIONS Suited for line-operated switchmode applications such as: Fluorescent lamp ballasts Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 B

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