MJE12007 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE12007  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE12007

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE12007 даташит

 ..1. Size:118K  inchange semiconductor
 mje12007.pdf pdf_icon

MJE12007

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJE12007 DESCRIPTION With TO-220 package High voltage Low saturation voltage APPLICATIONS Suited for line-operated switchmode applications such as Fluorescent lamp ballasts Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 B

Другие транзисторы: MJE1090, MJE1091, MJE1092, MJE1093, MJE1100, MJE1101, MJE1102, MJE1103, 2SC945, MJE1290, MJE1291, MJE13002, MJE13003, MJE13004, MJE13005, MJE13006, MJE13007