Справочник транзисторов. MJE12007

 

Биполярный транзистор MJE12007 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJE12007
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для MJE12007

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE12007 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  inchange semiconductor
 mje12007.pdf pdf_icon

MJE12007

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJE12007 DESCRIPTION With TO-220 package High voltage Low saturation voltage APPLICATIONS Suited for line-operated switchmode applications such as: Fluorescent lamp ballasts Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls Deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 B

Другие транзисторы... MJE1090 , MJE1091 , MJE1092 , MJE1093 , MJE1100 , MJE1101 , MJE1102 , MJE1103 , 2SC2655 , MJE1290 , MJE1291 , MJE13002 , MJE13003 , MJE13004 , MJE13005 , MJE13006 , MJE13007 .

 

 
Back to Top

 


 
.