2N457 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N457  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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2N457 datasheet

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 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf pdf_icon

2N457

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2N457

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage The device employs the popular JEDEC TO-3 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High voltage high current power transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

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