2N457 Todos los transistores

 

2N457 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N457
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N457 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:182K  inchange semiconductor
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2N457

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation VoltageThe device employs the popular JEDEC TO-3100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSHigh voltage high current power transistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

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History: A159C | BDV91 | KSC5028O | 2SC385A | NA22HY | TIS07 | TP3707

 

 
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