2N457 Todos los transistores

 

2N457 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N457

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 10

Empaquetado / Estuche: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N457

 

2N457 Datasheet (PDF)

1.1. 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf Size:317K _rca

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1.2. 2n4576.pdf Size:182K _inchange_semiconductor

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isc Silicon NPN Power Transistor 2N4576 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage ·The device employs the popular JEDEC TO-3 ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS ·High voltage high current power transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL P

 

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: HTL194 | C3198 | AT41586 | TIP540 | SBT92 | SAP16N | RN2130FV | D71F2T1 | 2T951V | 2T951B | 2T951A | 104NU71 | 103NU71 | 102NU71 | 101NU71 | YZ21 | WT062 | TL142 | TIP3055T | TIP2955T |

 

 

 
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